GeneSiC SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N — Транзисторные модули
MPN / артикул: G3R20MT12N
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт
Ток стока: 74 А · Корпус: SOT227B · Тип товара: Транзисторные модули
О модели
Описание
GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N. Категория: «Транзисторные модули».
Корпус — SOT227B; Конструкция диода — одиночный транзистор; Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Ток стока — 74 А.
Сопротивление в открытом состоянии — 20мОм; Рассеиваемая мощность — 365Вт; Полярность — полевой; Электрический монтаж — винтами.
Механический монтаж — винтами; Технология — G3R™; SiC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -5...15В.
Ток стока в импульсном режиме — 240А; Тип полупроводникового модуля — MOSFET транзистор.
Перед заказом проверьте артикул G3R20MT12N, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 74 А
- Корпус
- SOT227B
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G3R20MT12N
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
