О модели
Описание
IXYS IXTN40P50P. Категория: «Транзисторные модули».
Корпус — SOT227B; Конструкция диода — одиночный транзистор; Время готовности — 477нс; Напряжение сток-исток — -500В.
Ток стока — -40А; Сопротивление в открытом состоянии — 0,23Ом; Рассеиваемая мощность — 890Вт; Полярность — полевой.
Электрический монтаж — винтами; Механический монтаж — винтами; Заряд затвора — 205нC; Технология — PolarP™.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — -120А; Тип полупроводникового модуля — MOSFET транзистор.
Перед заказом проверьте артикул IXTN40P50P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Корпус
- SOT227B
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTN40P50P
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
