О модели
Описание
IXYS IXTN32P60P. Категория: «Транзисторные модули».
Корпус — SOT227B; Конструкция диода — одиночный транзистор; Время готовности — 480нс; Напряжение сток-исток — -600В.
Ток стока — -32А; Сопротивление в открытом состоянии — 0,35Ом; Рассеиваемая мощность — 890Вт; Полярность — полевой.
Электрический монтаж — винтами; Механический монтаж — винтами; Заряд затвора — 196нC; Технология — PolarP™.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — -96А; Тип полупроводникового модуля — MOSFET транзистор.
Перед заказом проверьте артикул IXTN32P60P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Корпус
- SOT227B
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTN32P60P
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
