О модели
Описание
IXYS IXTN120P20T. Категория: «Транзисторные модули».
Корпус — SOT227B; Конструкция диода — одиночный транзистор; Время готовности — 300нс; Напряжение сток-исток — -200В.
Ток стока — -106А; Сопротивление в открытом состоянии — 30мОм; Рассеиваемая мощность — 830Вт; Полярность — полевой.
Электрический монтаж — винтами; Механический монтаж — винтами; Заряд затвора — 740нC; Технология — TrenchP™.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±15В; Ток стока в импульсном режиме — -400А; Тип полупроводникового модуля — MOSFET транзистор.
Перед заказом проверьте артикул IXTN120P20T, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Корпус
- SOT227B
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTN120P20T
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
