IXYS
· Полупроводники
IXYS IXTN210P10T — Транзисторные модули
MPN / артикул: IXTN210P10T
Модуль; одиночный транзистор; -100В; -210А; SOT227B; винтами
Корпус: SOT227B · Тип товара: Транзисторные модули
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXTN210P10T. Категория: «Транзисторные модули».
Корпус — SOT227B; Конструкция диода — одиночный транзистор; Время готовности — 200нс; Напряжение сток-исток — -100В.
Ток стока — -210А; Сопротивление в открытом состоянии — 7,5мОм; Рассеиваемая мощность — 830Вт; Полярность — полевой.
Электрический монтаж — винтами; Механический монтаж — винтами; Заряд затвора — 740нC; Технология — TrenchP™.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±15В; Ток стока в импульсном режиме — -800А; Тип полупроводникового модуля — MOSFET транзистор.
Перед заказом проверьте артикул IXTN210P10T, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Корпус
- SOT227B
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTN210P10T
Материалы
Документация
Техническое описание: IXTN210P10TEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
