О модели
Описание
IXYS IXTN30N100L. Категория: «Транзисторные модули».
Корпус — SOT227B; Конструкция диода — одиночный транзистор; Время готовности — 1мкс; Напряжение сток-исток — 1кВ.
Ток стока — 30 А; Сопротивление в открытом состоянии — 0,45Ом; Рассеиваемая мощность — 800Вт; Полярность — полевой.
Электрический монтаж — винтами; Механический монтаж — винтами; Заряд затвора — 545нC; Технология — Linear™.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±40В; Ток стока в импульсном режиме — 70А; Тип полупроводникового модуля — MOSFET транзистор.
Перед заказом проверьте артикул IXTN30N100L, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 30 А
- Корпус
- SOT227B
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTN30N100L
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
