IXYS IXFN102N30P — Транзисторные модули
Модуль; одиночный транзистор; 300В; 86А; SOT227B; винтами; 570Вт
Ток стока: 86 А · Корпус: SOT227B · Тип товара: Транзисторные модули
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноОписание
IXYS IXFN102N30P. Категория: «Транзисторные модули».
Корпус — SOT227B; Конструкция диода — одиночный транзистор; Время готовности — 200нс; Напряжение сток-исток — 300В.
Ток стока — 86 А; Сопротивление в открытом состоянии — 33мОм; Рассеиваемая мощность — 570Вт; Полярность — полевой.
Электрический монтаж — винтами; Механический монтаж — винтами; Заряд затвора — 224нC; Технология — HiPerFET™; Polar™.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 250А; Тип полупроводникового модуля — MOSFET транзистор.
Технические характеристики
- Ток стока
- 86 А
- Корпус
- SOT227B
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXFN102N30P
Документация
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
