DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED DMG1013TQ-7 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: DMG1013TQ-7
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -330мА; Idm: -6А; 270мВт
Монтаж: SMD · Корпус: SOT523 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED DMG1013TQ-7. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT523; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -330мА.
Сопротивление в открытом состоянии — 1,3Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,27Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 580пC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±6В; Ток стока в импульсном режиме — -6А.
Перед заказом проверьте артикул DMG1013TQ-7, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT523
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DMG1013TQ-7
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
