DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED DMG1013UWQ-13 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: DMG1013UWQ-13
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -540мА; Idm: -3А; 310мВт
Монтаж: SMD · Корпус: SOT323 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED DMG1013UWQ-13. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT323; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -0,54А.
Сопротивление в открытом состоянии — 1,5Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,31Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 622,4пC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±6В; Ток стока в импульсном режиме — -3А.
Перед заказом проверьте артикул DMG1013UWQ-13, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT323
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DMG1013UWQ-13
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
