DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED DMG1016VQ-13 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: DMG1016VQ-13
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 630/-460мА; 530мВт
Монтаж: SMD · Корпус: SOT563 · Тип транзистора: N/P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED DMG1016VQ-13. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT563; Напряжение сток-исток — 20/-20В; Ток стока — 0,63/-0,46А.
Сопротивление в открытом состоянии — 700мОм/1,3Ом; Тип транзистора — N/P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,53Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 736,6/622,4пC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±6В.
Перед заказом проверьте артикул DMG1016VQ-13, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT563
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DMG1016VQ-13
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
