DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED DMG1012T-13 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: DMG1012T-13
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 450мА; Idm: 3А; 280мВт; SOT523
Ток стока: 0,45 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT523 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED DMG1012T-13 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,45 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT523.
Напряжение сток-исток — 20В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,7Ом; Рассеиваемая мощность — 0,28Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 736,6пC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±6В; Ток стока в импульсном режиме — 3А.
Перед заказом проверьте артикул DMG1012T-13, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,45 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT523
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DMG1012T-13
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
