О модели
Описание
VISHAY SQM120P06-07L_GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -120А.
Сопротивление в открытом состоянии — 13мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 125Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 0,27мкC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -480А.
Перед заказом проверьте артикул SQM120P06-07L_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SQM120P06-07L_GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
