О модели
Описание
VISHAY SQM100P10-19L_GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263; Напряжение сток-исток — -100В; Ток стока — -53А.
Сопротивление в открытом состоянии — 19мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 125Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 0,22мкC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул SQM100P10-19L_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SQM100P10-19L_GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
