VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SQM100N04-2M7_GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SQM100N04-2M7_GE3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 98А; 157Вт; D2PAK,TO263
Ток стока: 98 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SQM100N04-2M7_GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 98 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263.
Напряжение сток-исток — 40В; Сопротивление в открытом состоянии — 2,7мОм; Рассеиваемая мощность — 157Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 95,5нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул SQM100N04-2M7_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 98 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SQM100N04-2M7_GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
