VISHAY · Полупроводники

VISHAY SIHB18N60E-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SIHB18N60E-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 179Вт; D2PAK,TO263

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSIHB18N60E-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY SIHB18N60E-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 179Вт; D2PAK,TO263

Перед заказом проверьте артикул SIHB18N60E-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK, TO263
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SIHB18N60E-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.