VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SUM55P06-19L-E3 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: SUM55P06-19L-E3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -31А; 125Вт
Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
VISHAY SUM55P06-19L-E3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -31А.
Сопротивление в открытом состоянии — 41мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 125Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 115нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул SUM55P06-19L-E3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SUM55P06-19L-E3
Материалы
Документация
Техническое описание: SUM55P06-19L-E3EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
