VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIDR608EP-T1-RE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SIDR608EP-T1-RE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Ток стока: 228 А · Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SIDR608EP-T1-RE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 228 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® SO8.
Сопротивление в открытом состоянии — 1,36мОм; Рассеиваемая мощность — 125Вт; Заряд затвора — 167нC; Технология — TrenchFET®.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -16...20В.
Перед заказом проверьте артикул SIDR608EP-T1-RE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 228 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® SO8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIDR608EP-T1-RE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
