VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIDR578EP-T1-RE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SIDR578EP-T1-RE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 150Вт; PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 150Вт; PowerPAK® SO8
Перед заказом проверьте артикул SIDR578EP-T1-RE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® SO8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIDR578EP-T1-RE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
