О модели
Описание
VISHAY SIA4371EDJ-T1-GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC70-6; Напряжение сток-исток — -30В; Сопротивление в открытом состоянии — 45мОм.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2,9Вт; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.
Перед заказом проверьте артикул SIA4371EDJ-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC70-6
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIA4371EDJ-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
