VISHAY · Полупроводники

VISHAY SQA401EJ-T1_GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: SQA401EJ-T1_GE3

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,75А; Idm: -12А; 13,6Вт

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSQA401EJ-T1_GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: SC70-6 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

VISHAY SQA401EJ-T1_GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SQA401EJ-T1_GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC70-6; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -3,75А.

Сопротивление в открытом состоянии — 0,125Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 13,6Вт; Полярность — полевой.

Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В; Ток стока в импульсном режиме — -12А.

Перед заказом проверьте артикул SQA401EJ-T1_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
SMD
Корпус
SC70-6
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SQA401EJ-T1_GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.