VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI1302DL-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SI1302DL-T1-GE3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,48А; Idm: 1,5А; 0,18Вт
Ток стока: 0,48 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT323 · Корпус: SC70 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SI1302DL-T1-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,48 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC70; SOT323.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,48Ом; Рассеиваемая мощность — 0,18Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 1,4нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 1,5А.
Перед заказом проверьте артикул SI1302DL-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,48 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC70, SOT323
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI1302DL-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
