VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI1308EDL-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SI1308EDL-T1-GE3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD
Ток стока: 1,4 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT323 · Корпус: SC70 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SI1308EDL-T1-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 1,4 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC70; SOT323.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 132мОм; Рассеиваемая мощность — 0,3Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 4,1нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.
Ток стока в импульсном режиме — 6А.
Перед заказом проверьте артикул SI1308EDL-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 1,4 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC70, SOT323
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI1308EDL-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
