VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SI1416EDH-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SI1416EDH-T1-GE3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,9А; Idm: 15А; 1,8Вт; ESD
Ток стока: 3,9 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT323 · Корпус: SC70 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SI1416EDH-T1-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3,9 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC70; SOT323.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 58мОм; Рассеиваемая мощность — 1,8Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 12нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.
Ток стока в импульсном режиме — 15А.
Перед заказом проверьте артикул SI1416EDH-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3,9 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC70, SOT323
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SI1416EDH-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
