О модели
Описание
onsemi FGA60N65SMD. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO3PN; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 60 А; Ток коллектора в импульсе — 180А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 300Вт.
Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 284нC.
Перед заказом проверьте артикул FGA60N65SMD, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 60 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO3PN
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FGA60N65SMD
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
