TOSHIBA · Полупроводники

TOSHIBA GT30J121(Q) — Транзисторы IGBT THT

MPN / артикул: GT30J121(Q)

Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN

Производитель автоматикиTOSHIBA
АртикулGT30J121(Q)
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток коллектора: 30 А · Монтаж: THT · Корпус: TO3PN · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT

Фото товара

TOSHIBA GT30J121(Q) — Транзисторы IGBT THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

TOSHIBA GT30J121(Q). Категория: «Транзисторы IGBT THT».

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO3PN; Напряжение коллектор-эмиттер — 600В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.

Ток коллектора — 30 А; Ток коллектора в импульсе — 60А; Время включения — 240нс; Время выключения — 430нс.

Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 170Вт.

Перед заказом проверьте артикул GT30J121(Q), исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток коллектора
30 А
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Тип транзистора
IGBT
Единица продажи
шт
Артикул производителя
GT30J121(Q)
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.