О модели
Описание
TOSHIBA GT50JR22(STA1,E,S). Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO3PN; Напряжение коллектор-эмиттер — 600В; Напряжение затвор - эмиттер — ±25В.
Ток коллектора — 44 А; Ток коллектора в импульсе — 100А; Время включения — 250нс; Время выключения — 330нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 115Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode.
Перед заказом проверьте артикул GT50JR22(STA1,E,S), исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 44 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO3PN
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- GT50JR22(STA1,E,S)
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
