IXYS · Полупроводники

IXYS MMIX1T550N055T2 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: MMIX1T550N055T2

Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 55В; 550А; Idm: 2кА; 830Вт

Производитель автоматикиIXYS
АртикулMMIX1T550N055T2
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 550 А · Монтаж: SMD · Корпус: SMPD · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

IXYS MMIX1T550N055T2 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

IXYS MMIX1T550N055T2 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 550 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SMPD.

Время готовности — 100нс; Напряжение сток-исток — 55В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,3мОм; Рассеиваемая мощность — 830Вт.

Полярность — полевой; Заряд затвора — 595нC; Технология — GigaMOS™; TrenchT2™; Вид канала — обогащенный.

Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 2кА.

Перед заказом проверьте артикул MMIX1T550N055T2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
550 А
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
MMIX1T550N055T2
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.