IXYS · Полупроводники

IXYS MMIX1F160N30T — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: MMIX1F160N30T

Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 300В; 102А; Idm: 440А; SMPD

Производитель автоматикиIXYS
АртикулMMIX1F160N30T
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 102 А · Монтаж: SMD · Корпус: SMPD · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

IXYS MMIX1F160N30T — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

IXYS MMIX1F160N30T — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 102 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SMPD.

Время готовности — 200нс; Напряжение сток-исток — 300В; Сопротивление в открытом состоянии — 20мОм; Рассеиваемая мощность — 570Вт.

Полярность — полевой; Заряд затвора — 367нC; Технология — GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™; Вид канала — обогащенный.

Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 440А.

Перед заказом проверьте артикул MMIX1F160N30T, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
102 А
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
MMIX1F160N30T
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.