IXYS · Полупроводники

IXYS MMIX1F210N30P3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: MMIX1F210N30P3

Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 300В; 108А; Idm: 550А; 520Вт

Производитель автоматикиIXYS
АртикулMMIX1F210N30P3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 108 А · Монтаж: SMD · Корпус: SMPD · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

IXYS MMIX1F210N30P3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

IXYS MMIX1F210N30P3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 108 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SMPD.

Время готовности — 250нс; Напряжение сток-исток — 300В; Сопротивление в открытом состоянии — 16мОм; Рассеиваемая мощность — 520Вт.

Полярность — полевой; Заряд затвора — 268нC; Технология — HiPerFET™; Polar3™; Вид канала — обогащенный.

Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 550А.

Перед заказом проверьте артикул MMIX1F210N30P3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
108 А
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
MMIX1F210N30P3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.