IXYS
· Полупроводники
IXYS IXGX82N120A3 — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: IXGX82N120A3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 82А; 1,25кВт; PLUS247™
Ток коллектора: 82 А · Монтаж: THT · Корпус: PLUS247TM · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXGX82N120A3. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — PLUS247™; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,2кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 82 А; Ток коллектора в импульсе — 580А; Время включения — 109нс; Время выключения — 1,59мкс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 1,25кВт; Заряд затвора — 340нC; Технология — GenX3™; PT.
Перед заказом проверьте артикул IXGX82N120A3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 82 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- PLUS247TM
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXGX82N120A3
Материалы
Документация
Техническое описание: IXGK(x)82N120A3EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
