IXYS
· Полупроводники
IXYS IXBX75N170A — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: IXBX75N170A
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 65А; 1,04кВт; PLUS247™
Ток коллектора: 65 А · Монтаж: THT · Корпус: PLUS247TM · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXBX75N170A. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — PLUS247™; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,7кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 65 А; Ток коллектора в импульсе — 300А; Время включения — 65нс; Время выключения — 595нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 1,04кВт; Характеристики полупроводниковых элементов — высоковольтный; Заряд затвора — 358нC.
Технология — BiMOSFET™.
Перед заказом проверьте артикул IXBX75N170A, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 65 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- PLUS247TM
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXBX75N170A
Материалы
Документация
Техническое описание: IXBX75N170AEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
