Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRFTS9342TRPBF — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: IRFTS9342TRPBF
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,8А; 2Вт; TSOP6
Монтаж: SMD · Корпус: TSOP6 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRFTS9342TRPBF. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TSOP6; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -5,8А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRFTS9342TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TSOP6
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRFTS9342TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
