Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRLMS5703TRPBF — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: IRLMS5703TRPBF
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,3А; 1,7Вт; TSOP6
Монтаж: SMD · Корпус: TSOP6 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRLMS5703TRPBF. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TSOP6; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -2,3А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,7Вт; Полярность — полевой; Характеристики полупроводниковых элементов — logic level.
Технология — HEXFET®; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRLMS5703TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TSOP6
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRLMS5703TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
