Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IRF5803TRPBF — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: IRF5803TRPBF
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,4А; 1,3Вт; TSOP6
Монтаж: SMD · Корпус: TSOP6 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IRF5803TRPBF. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TSOP6; Напряжение сток-исток — -40В; Ток стока — -3,4А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,3Вт; Полярность — полевой; Технология — HEXFET®.
Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IRF5803TRPBF, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TSOP6
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF5803TRPBF
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
