Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD80P03P4L07ATMA2 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: IPD80P03P4L07ATMA2
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -80А; 88Вт; DPAK,TO252
Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD80P03P4L07ATMA2. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -80А.
Сопротивление в открытом состоянии — 8,7мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 88Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 63нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IPD80P03P4L07ATMA2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD80P03P4L07ATMA2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
