Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD11DP10NMATMA1 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: IPD11DP10NMATMA1
Транзистор: P-MOSFET; полевой; 100В; -22А; 125Вт; DPAK,TO252
Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD11DP10NMATMA1. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252; Напряжение сток-исток — 100В; Ток стока — -22А.
Сопротивление в открытом состоянии — 111мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 125Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 59нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IPD11DP10NMATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD11DP10NMATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
