Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD50P04P413ATMA2 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: IPD50P04P413ATMA2
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -50А; 58Вт; DPAK,TO252
Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD50P04P413ATMA2. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252; Напряжение сток-исток — -40В; Ток стока — -50А.
Сопротивление в открытом состоянии — 9,2мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 58Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 39нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IPD50P04P413ATMA2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD50P04P413ATMA2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
