Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD50N06S4L12ATMA2 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD50N06S4L12ATMA2
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 36А; 50Вт
Ток стока: 36 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO252-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IPD50N06S4L12ATMA2 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 36 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TO252-3.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 12мОм; Рассеиваемая мощность — 50Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 30нC; Технология — OptiMOS™ T2; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±16В.
Перед заказом проверьте артикул IPD50N06S4L12ATMA2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 36 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TO252-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD50N06S4L12ATMA2
Материалы
Документация
Техническое описание: IPD50N06S4L12EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
