Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD30N03S4L09ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD30N03S4L09ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 30В; 30А; 42Вт
Ток стока: 30 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO252-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD30N03S4L09ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 30 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TO252-3.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 9мОм; Рассеиваемая мощность — 42Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 15нC; Технология — OptiMOS™ T2; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±16В.
Перед заказом проверьте артикул IPD30N03S4L09ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 30 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TO252-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD30N03S4L09ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
