Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD30N08S222ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD30N08S222ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 30А; 136Вт; PG-TO252-3
Ток стока: 30 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO252-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD30N08S222ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 30 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TO252-3.
Напряжение сток-исток — 75В; Сопротивление в открытом состоянии — 21,5мОм; Рассеиваемая мощность — 136Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 44нC; Технология — OptiMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPD30N08S222ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 30 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TO252-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD30N08S222ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
