Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPB029N15NM6ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPB029N15NM6ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 165А; 395Вт; DPAK
Ток стока: 165 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPB029N15NM6ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 165 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.
Напряжение сток-исток — 150В; Сопротивление в открытом состоянии — 2,9мОм; Рассеиваемая мощность — 395Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 105нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IPB029N15NM6ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 165 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPB029N15NM6ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
