Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPB19DP10NMATMA1 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: IPB19DP10NMATMA1
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; D2PAK,TO263
Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPB19DP10NMATMA1. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263; Напряжение сток-исток — -100В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,149Ом.
Тип транзистора — P-MOSFET; Полярность — полевой; Заряд затвора — 45нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IPB19DP10NMATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPB19DP10NMATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
