Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPB013N06NF2SATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPB013N06NF2SATMA1
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 60В; 198А; 300Вт; D2PAK,TO263
Ток стока: 198 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPB013N06NF2SATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 198 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,3мОм; Рассеиваемая мощность — 300Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 203нC; Технология — SiC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IPB013N06NF2SATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 198 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPB013N06NF2SATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
