VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SUD50N04-8M8P-4GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SUD50N04-8M8P-4GE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 14А; Idm: 100А
Ток стока: 14 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SUD50N04-8M8P-4GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 14 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 40В; Сопротивление в открытом состоянии — 8,8мОм; Рассеиваемая мощность — 30,8Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 56нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 100А.
Перед заказом проверьте артикул SUD50N04-8M8P-4GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 14 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SUD50N04-8M8P-4GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
