VISHAY · Полупроводники

VISHAY SUD50P04-09L-E3 — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: SUD50P04-09L-E3

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -50А; Idm: -100А

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSUD50P04-09L-E3
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

VISHAY SUD50P04-09L-E3 — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SUD50P04-09L-E3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252; Напряжение сток-исток — -40В; Ток стока — -50А.

Сопротивление в открытом состоянии — 17мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 136Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 150нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.

Ток стока в импульсном режиме — -100А.

Перед заказом проверьте артикул SUD50P04-09L-E3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
SMD
Корпус
DPAK, TO252
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SUD50P04-09L-E3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.