VISHAY · Полупроводники

VISHAY SQD50P03-07_GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: SQD50P03-07_GE3

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; 136Вт; DPAK,TO252

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSQD50P03-07_GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

VISHAY SQD50P03-07_GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SQD50P03-07_GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -50А.

Сопротивление в открытом состоянии — 5мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 136Вт; Полярность — полевой.

Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.

Перед заказом проверьте артикул SQD50P03-07_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
SMD
Корпус
DPAK, TO252
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SQD50P03-07_GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.