О модели
Описание
VISHAY SQD50P08-28_GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252; Напряжение сток-исток — -80В; Ток стока — -28А.
Сопротивление в открытом состоянии — 28мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 45Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 145нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -190А.
Перед заказом проверьте артикул SQD50P08-28_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SQD50P08-28_GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
