VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SQD10N30-330H_GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SQD10N30-330H_GE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 300В; 5А; Idm: 16А; 107Вт
Ток стока: 5 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SQD10N30-330H_GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 5 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 300В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,33Ом; Рассеиваемая мощность — 107Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 31нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.
Ток стока в импульсном режиме — 16А.
Перед заказом проверьте артикул SQD10N30-330H_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 5 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SQD10N30-330H_GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
