VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIHD11N80AE-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SIHD11N80AE-T1-GE3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; DPAK,TO252
Ток стока: 5 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SIHD11N80AE-T1-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 5 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 391мОм; Рассеиваемая мощность — 78Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 42нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 22А.
Перед заказом проверьте артикул SIHD11N80AE-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 5 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIHD11N80AE-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
