VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SQ1470AEH-T1_GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SQ1470AEH-T1_GE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 6,7А
Ток стока: 1,7 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT363 · Корпус: SC70-6 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SQ1470AEH-T1_GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 1,7 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC70-6; SOT363.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,115Ом; Рассеиваемая мощность — 3,3Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 5,2нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.
Ток стока в импульсном режиме — 6,7А.
Перед заказом проверьте артикул SQ1470AEH-T1_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 1,7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC70-6, SOT363
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SQ1470AEH-T1_GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
